InGaAs 28Gbaud PD Chip / 4x28Gbaud Array PD Chip1310nm 50Gbps PAM4 光探测器芯片 & 4x50Gbps PAM4 光探测器阵列芯片


INTRODUCTION介绍


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InGaAs 
28Gbaud PIN & 4x28Gbaud Array PD Chip - OS-PD2818、OS-PD4x2818


50G -200G PAM4 PIN PD芯片



Features

   Data rate up to 200Gbps 
   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

   Diode on Semi Insulating Substrates

   Anode/Cathode Pads on Front Side


Application

   IEEE 50-200Gigabit Ethernet

   200Gbps CWDM4,PAM4



Specification  (Tc=25℃,Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active area diameter

D


18


µm


Response   range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.8

0.90


A/W

λ=1310nm


0.90


λ=1550nm

Dark   current

ID


0.01

0.10

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.06

0.09

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


25.0


GHz

3dB down,   RL=50Ω

Die size


250X340

µm

For   Single Die

250X1360

For 1x4 Array


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产品中心

产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。

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产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列

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