InGaAs 2.5Gbps APD Chip For OLTOLT端用高灵敏度2.5Gbps 雪崩光电探测器芯片


INTRODUCTION介绍


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InGaAs 2.5Gbps APD Chip For OLT - OS-APD50S


Features 

   High speed

   High responsivity

   Low capacitance

   Low dark current

   Top illuminated planar structure

 

Application

   GPON, PON OLT

   Long-haul optical networks

   Fiber-optic Datacom

   Fiber Channel

  

Specification  (Tc=25℃)  

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

900


1650

nm


Breakdown Voltage

VBR

40


52

V

Id=10uA

Temperature coefficient
  of VBR



0.12


V/℃


Responsivity

R

10

13


A/W

VR=VBR-3V

Dark current

ID


0.4

10.0

nA

VBR-3V

Capacitance

C


0.18

0.3

pF

VR=38V, f=1MHz

Bandwidth

Bw


2.5


GHz



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产品中心

产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。

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产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列

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