InGaAs 25G /100G PIN PD Chip & 1XN Array25G-100Gbps光探测器芯片及1X4阵列


INTRODUCTION介绍


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25Gbps InGaAs PIN &1x4 Array PD Chip - OS-PD2520、OS-PD4x2520


Features

   Data rate up to 25Gbps &100Gbps

   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

   Diode on Semi Insulating Substrates

   Anode/Cathode Pads on Front Side


Application

   10G-EPON

   IEEE 100 Gigabit Ethernet (1x4 Array)

   Data Center

   Long-haul optical networks


Specification  (Tc=25℃,Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active   area diameter

D


20


µm


Response   range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.8

0.85


A/W

λ=1310nm


0.9


λ=1550nm

Dark   current

ID


0.04

0.10

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.07

0.10

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


23.0


GHz

3dB down,   RL=50Ω

Die size


250X340

µm

For   Single Die

250X1360

For 1x4 Array


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产品中心

产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。

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产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列

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