850nm 56Gbaud PD Chip / 4x56Gbaud Array PD ChipGaAs 850nm 100Gbps PAM4 光探测器芯片 / 400Gbps PAM4 光探测器阵列芯片


INTRODUCTION介绍


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GaAs 850nm 100Gbps PAM4  /  850nm 400Gbps PAM4 1x4 Array PD Chip 


OS-GaAs5030   /   OS-GaAs4x5030


Features 

Bandwidth up to 36GHz

φ30um active area

Low capacitance


Application

100Gbps PAM4

400Gbps PAM4

400Gbps SFP+


Specification  (Tc=25, Single Die) 


PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

840

850

860

nm


Responsivity

R

0.55

0.6


A/W

λ=850nm

Dark current

ID


0.01

0.05

nA

VR=-5V

Capacitance

C


0.05

0.09

pF

VR=-2V, f=1MHz

Bandwidth

Bw


36.0


GHz

VR=-2V

3dB down, RL=50Ω





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产品中心

产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。

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产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列

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