10Gbps APD Chip For XG-PONXG-PON用10Gbps雪崩光电二极管芯片

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INTRODUCTION介绍

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10Gbps APD Chip For XG-PON - OS-APD1030

Features 

   Data rates up to 10Gbps

   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

  

Application

   XG-PON      
   Optical  Ethernet 


Specification  (Tc=25℃) 

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active   area diameter

D


30


µm


Response   range

λ

900


1650

nm


Breakdown   Voltage

VBR


30


V

Id=10uA

Responsivity

R


0.75


A/W

M=1

Temperature  

coefficient   of VBR



0.05


V/


Dark   current

ID



30.0

nA

VR=0.9*VBR

Capacitance

C


0.10

0.13

pF

VR=0.9*VBR

Bandwidth

Bw


7.5


GHz


Bond Pad Diameter


65

µm


Die size


220X220

µm



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产品中心HONESTY CREATES QUALITY AND INNOVATION LEADS THE FUTURE

专注于光通信、数据中心、5G移动通信、HDMI等光纤通信用半导体光探测器芯片

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河北光森电子科技有限公司主要产品包括半导体近红外探测器、半导体紫外探测器、半导体THz探测器等,产品应用覆盖光通信系统、数据中心、物联网及自动控制等领域,并可提供不同响应波长的包括四象限结构在内的各种

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