10Gbps APD Chip For XG-PON OLT- OS-APD1030
Features
Data rates up to 10Gbps
High Responsivity
Low Capacitance
Low Dark Current
Top Illuminated planar structure
Application
XG-PON OLT
Optical Ethernet
Specification (Tc=25℃)
PARAMETER | SYMBOL | MIN | TYP | MAX | UNIT | TEST CONDITIONS |
Active area diameter | D | 30 | µm | |||
Response range | λ | 900 | 1650 | nm | ||
Breakdown Voltage | VBR | 30 | V | Id=10uA | ||
Responsivity | R | 0.75 | A/W | M=1 | ||
Temperature coefficient of VBR | 0.05 | V/℃ | ||||
Dark current | ID | 30.0 | nA | VR=0.9*VBR | ||
Capacitance | C | 0.10 | 0.13 | pF | VR=0.9*VBR | |
Bandwidth | Bw | 7.5 | GHz | |||
Bond Pad Diameter | 65 | µm | ||||
Die size | 220X220 | µm | ||||
产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域，并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。
——产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域，并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列
