40um 10Gbps APD Chip For XG-PON ONUXG-PON ONU 用40um 10Gbps雪崩光电二极管芯片


INTRODUCTION介绍


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40um 10Gbps APD Chip For XG-PON ONU - OS-APD1040

Features 

   Data rates up to 10Gbps

   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

  

Application

   XG-PON
   PON ONU/OLT       
   Optical  Ethernet 


Specification  (Tc=25℃) 


PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

900


1650

nm


Breakdown Voltage

VBR

30


50

V

I=10uA

Responsivity

R


0..85


A/W

M=1,λ=1550nm

Multiplication factor

M

9



-

VR=VBR-3V

Temperature

coefficient of VBR



0.028


V/


Dark current

ID



150

nA

VR=VBR-3V

Capacitance

C


0.11

0.12

pF

VR=VBR-3V

Bandwidth

Bw


7.5


GHz







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产品中心

产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。

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产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列

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