200um/500um APD Chip For LiDAR激光雷达用200um/500um 雪崩光电二极管(APD)芯片


INTRODUCTION介绍


打印本文             

200um/500um  Avalanche Photodiode (APD) Chip For LiDAR - OS-APD200 / OS-APD500


Features 

   High speed

   High responsivity

   Low capacitance

   Low dark current

   Top illuminated planar structure

 

Application

   Light Detection and Ranging (LiDAR)

   Rangefinder

   Measuring Instrument


Specification   (Tc=25℃) 


PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

ALL

Response   range

λ

900


1650

nm


Breakdown   Voltage

VBR

40


50

V

Id=10uA

Temperature   coefficient

of   VBR



0.12


V/℃


Responsivity

R

9

10


A/W

VBR-4V

OS-

APD200

Dark   current

ID


6.0

30

nA

VR=VBR-4V

Capacitance

C


1.6


pF

VR=38V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


2.0


GHz


OS-

APD500

Dark   current

ID


60

200

nA

VR=VBR-4V

Capacitance

C


8.0


pF

VR=38V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


1.0


GHz




上一篇InGaAs 2.5Gbps APD Chip For GPON ONU
下一篇40um 10Gbps APD Chip For XG-PON ONU

产品中心

产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。

——

产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列

Learn more