850nm 10Gbps / 40Gbps GaAs PIN PD Chip & Array850nm 10Gbps / 40Gbps 光探测器芯片及阵列


INTRODUCTION介绍


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850nm 10Gbps / 40Gbps GaAs PIN PD Chip&Array - OS-PD60A、OS-PD4X60A


Features 

  High data rates up to 12Gbps

  GaAs PIN Photodiode

  Anti-reflective for 850nm                                     

  High responsivity

  Low capacitance

  Low dark current

  Top illuminated planar structure

 

Application
   850nm 10Gbps 1x4 1x8 1x12 Array

   Short-Reach Optical Networks

   Active Optical Cable (AOC) Receiver

   Multi-mode Fiber Datacom


Specification  (Tc=25℃, Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ


850

860

nm


Responsivity

R

0.55

0.6


A/W

λ=1310nm

λ=1550nm

Dark current

ID


0.05

0.3

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.13

0.16

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


12.0


GHz

3dB down, RL=50Ω


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产品中心

产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列芯片等定制服务。

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产品应用覆盖光接入网、5G无线通信、光传输网、数据中心、微波光子、量子通信、屏下传感、HDMI、气体传感、红外成像、激光雷达等领域,并可提供不同响应波长的各种大面积光探测器芯片及一维和二维光探测器阵列

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