850nm 25Gbps / 100Gbps GaAs PIN PD Chip & 1X4 Array850nm 25Gbps / 100Gbps 光探测器芯片及阵列

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INTRODUCTION介绍

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850nm 25Gbps / 100Gbps GaAs PIN PD Chip & 1xN Array Chip (N=4, 8, 12)

OS-PD2540、OS-PD4X2540


Features

  High data rates up to 25Gbps

  Resonsiable for 850nm

  High responsivity

  Low capacitance

  Low dark current

  Anode/Cathode Pads on Front Side



Application

   850nm 25Gbps &1x4 1x8 1x12 Array

   Active Optical Cable (AOC) Receiver

   Short-Reach Optical Networks

  

Specification  (Tc=25℃;Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active   area diameter

D


45


µm


Response   range

λ


850

860

nm


Responsivity

R

0.55

0.6


A/W

λ=850nm

Dark   current

ID


0.01

0.05

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.085

0.11

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


18.0

20.0

GHz

3dB down,   RL=50Ω

Die size


250X250

µm

For   Single Die

250 X 1000

For 1x4 Array

250 X 2000

For 1x8 Array



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产品中心HONESTY CREATES QUALITY AND INNOVATION LEADS THE FUTURE

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河北光森电子科技有限公司主要产品包括半导体近红外探测器、半导体紫外探测器、半导体THz探测器等,产品应用覆盖光通信系统、数据中心、物联网及自动控制等领域,并可提供不同响应波长的包括四象限结构在内的各种

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